9 月 12 日，一名技术人员展示装有 IGBT 芯片的模块。新华社发（刘长龙摄）
我国自主研发的高压大功率 3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率 1200A/3300V IGBT 模块，今天（12 日）通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的 IGBT“中国芯”。
由中国北车设计开发的 3300V/50A IGBT 芯片，是国内首件自主设计制造的高压 IGBT 芯片，迈开了国产 IGBT 功率“芯脏”替代进口的步伐。
IGBT 作为新一代功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。如在轨道交通领域，牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件，而 IGBT 又是牵引传动系统的核心部件，是“核心中的核心”。
采用 IGBT 进行功率变换，能够提高用电效率和用电质量，节能 30% 以上。
目前中国已经成为 IGBT 的最大消费国，年需求量超过 75 亿元，而且每年以 30% 以上的速度增长。有关资料预测，到 2020 年，轨道交通电力牵引每年 IGBT 模块的市场规模不低于 10 亿元，智能电网不低于 4 亿元。
由于起步较晚、研发难度大，此前国内 IGBT 芯片设计主要集中在民用级 1200V IGBT 上，工业级和牵引级的高压大功率 IGBT 基本依赖进口。中国北车 3300V IGBT 芯片自主设计的成功，填补了这一领域空白。
中国北车 3300V IGBT 芯片的自主开发成功，也标志着中国北车在高端 IGBT 领域形成了设计制造、模块封装完整的产业链。
相关文章
